中國晶片製造產業遭到美國制裁,即使中國政府投入大量資本,國內的晶片製造商也難以取得半導體技術的突破。中國無法從正當管道獲取想要的技術,就私下想辦法到其他國家去「偷」。近期就發生一位中國的女間諜,竊取韓國半導體大廠 SK 海力士 ( SK Hynix ) 的核心技術資料,遭到韓國警方逮捕的事件,目前該名女間諜已遭韓國檢方起訴,準備接受法院的審理。

根據《韓聯社》報導,韓國京畿南部警察廳產業技術安全偵查隊於當地時間 28 日發布公開聲明表示,現年 30 多歲的中國籍女子 A 某因涉嫌違反《防止產業技術洩露及保護法》,於 4 月底被韓國警方逮捕。目前已被韓國檢方起訴,目前在水原地方法院驪州分院等待相關案件的審判。

報導稱, A 某於 2013 年入職 SK 海力士,一直都在分析晶片產品不良的部門工作,並於 2020 年至 2022 年間,在海力士的中國分公司擔任組長職務,負責與企業交易客戶進行洽談。然而 A 某在 2022 年 6 月返回韓國後,迅速離職並跳槽至華為。並且在離職前利用超過 3,000 張 A4 紙,將涉及核心半導體工序問題解決方案的相關資料列印,並分批轉移至外部。

報導指出, SK 海力士禁止員工使用隨身碟等相關設備,並針對列印的內容、列印人員、文件用途等資訊進行詳細的紀錄與管理,避免機密資列遭到外洩。但 A 某有留下列印文件的紀錄,但列印下來文件的相關用途並未被 SK 海力士所記錄。截至目前為止, A 某都對相關嫌疑保持否認的態度。

美國商務部取消華為部分半導體出口許可。 圖:翻攝自華為官網(資料照)

X 推主「 Inty 熱點新聞」表示,這起技術竊盜事件就發生在中國政府提供 9.48 億美元資金協助華為推動技術發展的時間。

「 Inty 熱點新聞」指出,針對 A 某地逮捕與審判都突顯了韓國企業努力保護先進技術,避免遭中國競爭對手盜竊或未經授權的轉移。由於半導體技術對於國家安全以及經濟競爭力具有重要的意義,相關案件也成為最為敏感的事件之一。

「 Inty 熱點新聞」稱,韓國政府目前準備將關鍵技術外流的最高刑期從 9 年增加至 12 年,徹底展現維護關鍵技術防止盜竊的決心。

韓國科技巨頭三星與SK海力士。   圖 : 翻攝自觀察者網