受到美國對晶片產品與相關設備的出口管制政策影響，中國不但無法進口先進的極紫外光刻機 ( EUV )、深紫外光刻機 ( DUV )，也無法取得相關設備的維修服務，中國的半導體產業發展也因此大幅受限。近期有外媒報導稱，中國國內頻繁傳出成功擺脫美國限制、在 EUV 領域取得突破性成就的相關消息。
然而，許多專家分析認為，目前中國尚不具備將相關技術「量產化」的能力，強調在美國的限制政策下，中國與西方國家間的差距將會「越來越大」。
全站首選：倒數3天！ 小笠原欣幸揭大罷免觀察：726將對台灣政治走向產生重大影響
根據《大紀元時報》今 ( 23 ) 日報導，近期中國國內傳出多件「光刻機技術取得突破」的消息，其中就包含挖角了荷蘭 ASML 研發部光源技術負責人林楠後，成功打造出雷射驅動等離子體及紫外光光源實驗平台的上海光機所、採用放電等離子體及紫外光源技術 ( DPP ) 的哈爾濱工業大學、利用高功率光纖雷射射擊液態錫靶，試圖繞過 ASML 超高功率與超高重頻二氧化碳雷射器的廣東智能機器研究院，以及採用穩態微聚束極紫外光源 ( SSMB-EUV ) 技術的清華大學等。
該報導指出，雖然中國多個研究單位已經成功取得了光刻機光源路線的突破性進展，但目前所有技術仍僅停留在實驗室範圍內，無法立即投入商用，「 ASML 當年花費 3 年時間完成 EUV 光源的可行性論證後，又花了 15 年，才成功將 13.5 奈米的 EUV 光源『實用工程化』」。
該報導也引用 ASML 首席執行官克里斯托夫．富凱 ( Christophe Fouquet ) 的評論，認為目前中國已經具備產生少量 EUV 光的實力，「但距離完整製造出 EUV 機器，仍需多年的時間累積與發展」。
前台積電採購經理薛宗智接受《大紀元時報》訪問時也質疑，中國實驗室在 EUV 光源領域取得突破可能都是「假新聞」，「如果中國真的做出來，就不會想讓外人知道，讓他人知道了就可能面臨更嚴重的管制，是自殺的行為」。台灣大學電機系教授林宗男也在受訪時表示 :「只有做不出來，才需要動用媒體吹捧」，「如果能做出來，早就已經將產品推出了，根本沒必要進行宣傳」。
工研院政策與區域研究組組長李冠樺更進一步指出，目前中國的取得的「突破」都還是實驗室的產物，「距離真正的商業化，還有很長的一段路要走」。李冠樺強調，雖然 EUV 光源是光刻機的關鍵，但想打造完整的 EUV 光刻機，仍需在透鏡、系統等其他領域取得成就，「製造先進光刻機需要與先進製程的製造商配合，透過魚幫水、水幫魚的方式，共同發展」。
國防安全研究院戰略與資源所所長蘇紫雲也在受訪時表示，光刻機的製造涉及很多微物理世界中的專有知識與技術，且必須與機器製造的相關技術進行整合，「與航空母艦這種巨型武器裝備不同，微物理世界的東西幾乎沒辦法用『逆向工程』的方式進行研發」。
專家們也強調，除了技術外，相關人員的經驗累積、社會環境是否穩定等因素也對先進半導體產業的發展有著巨大的影響。李冠樺指出，在美國嚴厲的出口管制政策影響下，中國的先進半導體製程進步的非常緩慢，「如果西方國家持續發展先進製程，且中國持續受到限制，雙方的差距將會越來越大」。
近期中國國內頻繁傳出在 EUV 光源領域取得突破性成就的消息，許多中國網友也相信中國即將擺脫西方制裁，加入先進半導體製程的行列內。然而，多位專家分析認為，目前中國還無法將相關技術「商業化」，質疑中國不具備短時間內發展出 EUV 光刻機的能力。圖為荷蘭 ASML 的光刻機。 圖 : 翻攝自央視(資料照)
