英特爾（Intel）執行長季辛格（Pat Gelsinger）認為，美國、日本、荷蘭對中國半導體業的制裁限制了其 7 奈米以上製程技術的發展。他直指，儘管中國將繼續發展其半導體實力，並或將於國內設計更先進的晶片製造工具，但它在該領域仍落後全球約十年，而且這種情況將維持下去。
資訊科技媒體「Tom's Hardware」報導，季辛格於瑞士城鎮達佛斯（Davos）舉行的世界經濟論壇（WEF）作出上述發言。他表示，近期包括荷蘭、美國及日本實施的出口政策，某種程度上為中國半導體業在 10 到 7 奈米範圍內設定了底線。然而「我們正在競相向 2 奈米以下，甚至是 1.5 奈米邁進，你知道我們看不到盡頭。」
據報導，目前中國代工廠中芯國際（SMIC）擁有 7 奈米製程技術，可用於製造智慧型手機應用處理器，較台積電和三星落後約 5 年半。同時，上海華力微電子公司（HLMC）傳已於 2020 年開始試產 14 奈米「鰭式場效電晶體」（FinFET）製程的晶片，這意味著它仍落後台積電 9 到 10 年。
但是，中芯國際和華力微電子都使用荷蘭、日本、韓國、台灣和美國生產的工具，以及日本的純原料。如果無法獲得這些資源，中國將不得不開發自己的晶圓廠設備和純化氣體（purify gases）、抗蝕劑和其他化學品的方法，以實現尖端晶片的生產。
現代半導體製程技術需要全球整個產業的共同努力、大量的基礎研究以及數千億美元的研發投入，中國是否能夠獨自應對這一切還有待商榷。同時，如果中國完全與先進的晶片製造工具和技術隔絕，其半導體公司可能會嘗試逆向工程（Reverse Engineering，技術、產品仿造）複製他們可以掌握的設備，以縮小與全球晶片業的差距。這並不完全是一種可持續的方法，但他們可能別無選擇。
