對於美國總統川普屢說台灣偷走美國晶片技術,聯電創辦人曹興誠今(20)日回顧台灣當年半導體發展過程,並稱初創的台積電當年同無償租用工研院「示範工廠」3年半,他質疑張忠謀「化公為私」,差點被聯電解聘。對於川普的說法,台灣政府或台積電至今對此全無澄清,失職失能極其嚴重。

曹興誠今日在臉書發文表示,川普說台灣偷了美國的半導體技術,絕非事實,行政院應該公開澄清。

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曹興誠說,美國總統川普訪中(川習會)後,於北京接受福斯新聞(Fox News)主播布萊特·拜爾(Bret Baier)與漢尼提(Sean Hannity)的專訪,再度公開指責台灣偷竊了美國的半導體技術;奇怪的是,台灣政府或台積電至今對此全無澄清,失職失能極其嚴重。

曹興誠說,台灣的半導體技術當初是向美國購買的。雙方於 1976 年 3 月 5 日,由工業技術研究院(工研院)代表台灣與美國RCA 公司正式簽署合約,合約為期10年。合約金額為350 萬美元,分為兩個部分:技術移轉費 250 萬美元和技術授權金100萬美元。

曹興誠說,在當時台灣國民平均年所得不到 400 美元的年代,這是一筆極為龐大的國家賭注。政府當年為整個「積體電路計畫」編列了約 1,000 萬美元(約合當時新台幣 4 億元)的專案預算,除了支付給 RCA 的 350 萬美元技術費用外,其餘资金則用於興建台灣第一座 3 吋晶圓「示範工廠」,以及分批派遣年輕工程師(包括我,史欽泰、曾繁城、劉英達、蔡明介等20餘人)前往美國 RCA 總部接受實地培訓。

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曹興誠表示,1976年我們向RCA 購買的是7微米的CMOS技術,而當時美國尖端技術是3.5 微米的NMOS技術。我們所以選擇CMOS ,一是因爲購買CMOS 技術的費用便宜,二是CMOS 較省電,適合用於低階消費性產品,可以配合台灣消費電子業的發展。

曹興誠指出,3吋晶圓廠和7微米技術可說非常低微的起步。但工研院電子所的這座「示範工廠」示範得相當成功,於是政府決定,由電子所技術移轉給1980年成立的聯華電子公司,另行建立4吋晶圓廠,以走向民間和商業化。為了支付工研院的技術移轉,聯電成立時免費給了經濟部15%的技術股。

曹興誠說,聯華電子公司在他的帶領下,於1983年就創造了每股近七元的淨利,並在1985年成功上市。受到聯電成功的激勵,1983年,政府決定在工研院內,再建一座3微米技術的6吋晶圓示範工廠。投入了經費約一億美元,花費四年,研發完成了3微米技術同時培養出了約400名工程師。

曹興誠說,1987年,這些工程師全數「轉進」新成立的「台灣積體電路公司」,並回頭「租用」該示範工廠,讓台積電成立的第一天就擁有了3微米的進步技術和嶄新的可以商業化的工廠。台積電租用工研院「示範工廠」的費用極為低廉,每年僅2百萬美金,事先還由經濟部支付給台積電7百萬美元當成「研發費用」,等於讓台積電無償使用「示範工廠」3年半,這就是台積電業務一開始就能順利起飛的原因。

曹興誠強調,台積電以這樣的方式「取得」了3微米技術和工廠,而當時張忠謀先生同時兼任工研院和台積電的董事長,當然有「化公為私」的爭議;他當年就公開提出質疑,要求聯電可以參與「租用」的比價競爭;結果遭到政府打壓,還差點因此被聯電董事會解聘。或許因為如此,台積電對於其技術來源始終避而不談,面對美國一再侮辱台灣偷竊美國技術,台積電也默不作聲。

曹興誠說,川普一再指責台灣偷竊美國半導體技術,後果相當嚴重。除了外交上的不友善,川普也以此為藉口,逼迫台灣去美國設廠,以求拆除台灣的「矽盾」。台灣不宜再悶著頭挨罵,不敢辯駁。

曹興誠說,他因此強烈建議行政院、工研院、台積電,針對台灣半導體技術的來源和多年來台灣不斷投入鉅額資源、艱苦研發的經過,召開國際記者會詳細說明,以正國際視聽。