國研院奈米元件實驗室(NDL)獨步全球，研發出全球最小的9奈米功能式電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞的技術；在幾乎不耗電下，容量可提昇20倍，耗電量降低200倍，1平方公分面積內可儲存約1個圖書館的文字資料，預料資訊電子產品將更輕薄短小化，計畫在5到10年內量產。
由台灣「國家實驗研究院」NDL奈米生醫與微機電元件組組長何家驊帶領的「9奈米超節能記憶體」研發團隊，今天召開記者會公布這項最新的重大研究創新。該創新技術是以操控氧原子的近距離移動，來改變元件記憶資訊所完成。
研究團隊表示，這個技術將可大幅縮短製程步驟與降低成本，達到奈米尺寸等級記憶體元件，大幅降低耗電量；使台灣奈米記憶體元件的技術研發一舉突破邁進10奈米以下的技術瓶頸。隨著攜帶式3C產品對體積越來越小以及容量越來越大的需求日益增加，如何研發出體積更小、記憶量更大的記憶體，將是全球研究人員爾後努力的目標。
NDL研發出領先全球最小的9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞，容量將比現行快閃記憶體大，耗電量更低。該奈米元件實驗室的何家驊博士表示，新研發的記憶體容量將可提昇比現行的快閃記憶體20倍，而耗電量卻可降低200倍，也就是這個技術應用在1平方公分的面積下，約可儲存約1個圖書館的文字資料，且幾乎不需耗電，預計可讓未來資訊產品發展的走向將更日益輕薄短小化。
何家驊預計，該新技術將在5到10年內進入量產，將讓全球傳統快閃記憶體產值從新台幣1兆元提昇至2兆元的規模；希望能在2025年時使得台灣全球市占率產值有機會從原本不到1%提升至10%強，對全球記憶體市場產生重大貢獻。
NDL也將在明年與產學研界共同成立「16-8奈米元件聯盟」，提供台灣產學研界的技術研發平台，厚植台灣半導體科技的人才基礎。
