美國加州聯邦法院近日受理一宗針對全球三大 DRAM 記憶體製造商的集體訴訟，三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK hynix）及美光（Micron）遭控涉嫌透過縮減傳統 DRAM 產能、推升記憶體價格，涉嫌違反美國反壟斷法。中國媒體《鈦媒體》報導分析指出，此案不僅是價格操縱爭議，更反映人工智慧（AI）時代全球半導體供應鏈與產業主導權競爭持續升溫。
根據訴狀內容，原告指控三家公司藉由 AI 產業需求快速成長之際，將產能轉向高頻寬記憶體（HBM），導致一般 DRAM 供給減少，造成近年記憶體價格大幅上漲。三星、 SK 海力士與美光目前尚未就相關指控作出法院認定。
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值得注意的是，被告除兩家韓國企業外，也包括美國本土記憶體大廠美光，顯示此次訴訟並非僅針對外國企業，而是涵蓋全球主要 DRAM 供應商。
就在訴訟曝光後不久，南韓政府宣布新一波半導體投資計畫。韓國產業通商資源部表示，將推動總規模約 800 兆韓元的半導體發展藍圖，規劃興建四座新晶圓廠，並在未來 15 年持續擴大記憶體產能與研發投資，希望鞏固全球半導體競爭優勢。
報導分析指出，近年 AI 快速發展帶動 HBM 需求激增。HBM 主要用於 AI 伺服器及高效能運算，已成為輝達（NVIDIA）等 AI 晶片的重要配套元件。目前全球 HBM 市場主要由 SK 海力士、三星及美光三家公司供應，其中韓國兩大業者占有率居於領先地位。
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由於 HBM 產品毛利率普遍高於傳統 DRAM，不少記憶體廠近年陸續調整產能配置，增加 HBM 生產比重。部分產業人士認為，這是市場需求變化下的正常商業決策；但也有觀點認為，在市場高度集中的情況下，主要供應商同步調整產能，仍可能對一般記憶體供給與價格造成明顯影響。
根據摩根士丹利等研究機構分析，隨著全球 AI 資料中心持續擴建，高頻寬記憶體需求預料未來數年仍將維持高速成長，帶動整體記憶體市場規模擴大。多家研究機構也預估， DRAM 價格短期內仍可能維持上升趨勢。
另一方面，美國政府近年積極透過《晶片與科學法案》（CHIPS and Science Act）推動半導體製造回流，美光已宣布在美國擴建新晶圓廠，並獲得聯邦政府補助，以提升本土記憶體產能。
分析認為，在 AI 成為全球科技競爭核心後，GPU、高頻寬記憶體、先進封裝及資料中心等關鍵基礎設施的重要性持續提升。此次反壟斷訴訟雖聚焦記憶體價格爭議，但背後也反映美韓兩國在 AI 半導體供應鏈布局、製造能力及產業競爭上的角力日益加劇，未來發展仍有待法院審理及市場持續觀察。
