韓國三星電子昨(30)日正式宣佈將開始量產GAA架構3奈米製程晶片，搶先台積電成為全球第一家生產3奈米製成的晶圓代工廠。

根據三星昨日發佈的聲明，三星首次將GAA架構導入至晶片製程當中，嘗試突破先前FinFET架構性能的極限，透過GAA架構降低電源電壓來提升功率效率，同時增加驅動電流能力加強晶片性能。

三星強調3奈米製程中的GAA架構設計的靈活性，與之前5奈比製程相比，第一代3奈米製程可將功耗降低45％、性能提高23％、晶片面積縮小16％；第二代3奈米製程可降低50％功耗、提高30％的性能及縮小35％面積。三星利用GAA架構的靈活性，滿足更多客戶的需求。

宣佈量產3奈米製程後，三星尚未公布首發客戶名單。三星在去年第三季建立SAFE雲端合作夥伴，三星希望可以在雲端夥伴的名單中尋找3奈米製程的客戶。三星共同執行長景啟賢表示，這次3奈米製程的首發客戶會嘗試在中國尋找潛在客戶，提升三星電子在全球的市佔率。