據韓媒《BusinessKorea》報導，韓國三星電子計畫未來3年内導入「環繞閘極技術」（GAA）應用到3奈米晶片，並預計2025年大規模生產2奈米晶片，以求追趕上台灣晶圓代工廠台積電。
《BusinessKorea》指出，GAA是下一代製程技術，將改進半導體電晶體結構，使閘極可接觸晶體管的4個側面，而不是當前的鰭式場效應電晶體（FinFET）製程技術的3個側面，因此，GAA結構可望比FinFET製程更能精確控制電流。 三星將成為世界上第一家使用GAA技術的公司。
台積電的策略是今年下半年進入3奈米晶片市場，採用穩定的FinFET製程，並在2025年佈局2奈米晶片；三星則選擇押注GAA製程應用到3奈米晶片，預計2025年大規模生產2奈米晶片。根據《TrendForce》市調數據，2021年第四季，台積電占全球晶圓代工市場的52.1%，遠遠超過三星的18.3%。
該報導也引述專家表示，三星使用的3奈米GAA晶片問題還是在於良率，未來3年成為關鍵，若能維持穩定質量，超越台積電不是沒有機會。
