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三星追趕台積電!導入GAA新技術2025年量產2奈米晶片

新頭殼newtalk | 陳崑翔 綜合報導
1970-01-01T00:00:00Z
韓國三星電子計畫未来3年内導入「環繞閘極技術」(GAA)應用到3奈米晶片,並預計2025年大規模生產2奈米晶片,以求追趕上台灣晶圓代工廠台積電。   圖:翻攝自Samsung (資料照)
韓國三星電子計畫未来3年内導入「環繞閘極技術」(GAA)應用到3奈米晶片,並預計2025年大規模生產2奈米晶片,以求追趕上台灣晶圓代工廠台積電。   圖:翻攝自Samsung (資料照)

據韓媒《BusinessKorea》報導,韓國三星電子計畫未來3年内導入「環繞閘極技術」(GAA)應用到3奈米晶片,並預計2025年大規模生產2奈米晶片,以求追趕上台灣晶圓代工廠台積電。

《BusinessKorea》指出,GAA是下一代製程技術,將改進半導體電晶體結構,使閘極可接觸晶體管的4個側面,而不是當前的鰭式場效應電晶體(FinFET)製程技術的3個側面,因此,GAA結構可望比FinFET製程更能精確控制電流。 三星將成為世界上第一家使用GAA技術的公司。

台積電的策略是今年下半年進入3奈米晶片市場,採用穩定的FinFET製程,並在2025年佈局2奈米晶片;三星則選擇押注GAA製程應用到3奈米晶片,預計2025年大規模生產2奈米晶片。根據《TrendForce》市調數據,2021年第四季,台積電占全球晶圓代工市場的52.1%,遠遠超過三星的18.3%。

該報導也引述專家表示,三星使用的3奈米GAA晶片問題還是在於良率,未來3年成為關鍵,若能維持穩定質量,超越台積電不是沒有機會。

韓國三星電子計畫未来3年内導入「環繞閘極技術」(GAA)應用到3奈米晶片

台積電的策略是今年下半年進入3奈米晶片市場

三星則選擇押注GAA製程應用到3奈米晶片,預計2025年大規模生產2奈米晶片

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