記憶體大廠美光（Micron）日前與力積電（PSMC）達成以 18 億美元收購台灣的銅鑼 P5 晶圓廠，盼加強 AI 用記憶體供應來穩固美光在全球 DRAM 領導地位。
市調機構集邦科技（TrendForce）最新 DRAM 產業調查，隨著美光這項 18 億美元的收購計畫，並與力積電建立長期的 DRAM 先進封裝代工關係，將有利美光增添先進製程 DRAM 產能，並提升力積電的成熟製程 DRAM 供應，預估 2027 年全球 DRAM 產業供給將有上修空間。
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力積電與美光簽署獨家合作意向書（LOI），將銅鑼廠以 18 億美元，約新台幣 569.21 億元現金售予美光，雙方建立長期 DRAM 先進封裝晶圓代工關係。力積電與美光結盟消息受到各界關注。
集邦表示，自 2025 下半年開始，ASIC 和 AI 推論分別帶動 HBM3e、DDR5 需求，並推升整體 DRAM 利潤率，促使美光加速擴充產能。本次收購力積電的銅鑼廠包括土地及廠房、無塵室（不含生產相關機器設備），預期美光在 2026、2027 年將能分批移入既有及新訂購的設備，以 DRAM 先進製程的前段設備為主，並於 2027 年投入量產。預估銅鑼一期在 2027 年下半年將可貢獻的產能，將相當於美光 2026 年第四季全球產能的 10% 以上。
據集邦統計，2025 年第三季美光在全球 DRAM 產業的營收市占率為 25.7%，排名第三。2024 年起由 AI 帶動 HBM、DDR5、LPDDR5X 等先進 DRAM 產品需求，美光除了持續執行美國 ID1、新加坡 HBM 後段產能建設，便已積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。
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在銅鑼廠之前，美光在台灣已收購友達（AUO）於台南的兩座廠、友達晶材（AUO Crystal）的台中廠房，及光燿科技（Glorytek）的台中廠房，作為 wafer probe（晶圓測試）、metallization（金屬化）、HBM TSV 等各項用途。美光亦規劃將部分新加坡 NAND Flash 無塵室改用於 DRAM metallization。
觀察此次銅鑼廠收購案對力積電的意義：其現有 DRAM 產能主要採用 25nm、38nm 製程，因此其 DDR4 產線暫時止步於容量較小的產品。近日力積電與美光簽署合作意向書後，預計未來一年內將獲得美光授權「1Y nm」製程，後續並有機會再取得「1Z nm」製程授權，可支持其提升 DDR4 產品容量。此舉將有利力積電保持在消費型 DRAM 市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與美光的先進產品線互相競爭。
台股周一（19日），力積電收在 62 元漲停價，今年來已大漲 45.4%。
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