記憶體大廠美光（Micron）日前與力積電（PSMC）達成以 18 億美元收購台灣的銅鑼 P5 晶圓廠，盼加強 AI 用記憶體供應來穩固美光在全球 DRAM 領導地位。
市調機構集邦科技（TrendForce）最新 DRAM 產業調查，隨著美光這項 18 億美元的收購計畫，並與力積電建立長期的 DRAM 先進封裝代工關係，將有利美光增添先進製程 DRAM 產能，並提升力積電的成熟製程 DRAM 供應，預估 2027 年全球 DRAM 產業供給將有上修空間。
力積電與美光簽署獨家合作意向書（LOI），將銅鑼廠以 18 億美元，約新台幣 569.21 億元現金售予美光，雙方建立長期 DRAM 先進封裝晶圓代工關係。力積電與美光結盟消息受到各界關注。
集邦表示，自 2025 下半年開始，ASIC 和 AI 推論分別帶動 HBM3e、DDR5 需求，並推升整體 DRAM 利潤率，促使美光加速擴充產能。本次收購力積電的銅鑼廠包括土地及廠房、無塵室（不含生產相關機器設備），預期美光在 2026、2027 年將能分批移入既有及新訂購的設備，以 DRAM 先進製程的前段設備為主，並於 2027 年投入量產。預估銅鑼一期在 2027 年下半年將可貢獻的產能，將相當於美光 2026 年第四季全球產能的 10% 以上。
據集邦統計，2025 年第三季美光在全球 DRAM 產業的營收市占率為 25.7%，排名第三。2024 年起由 AI 帶動 HBM、DDR5、LPDDR5X 等先進 DRAM 產品需求，美光除了持續執行美國 ID1、新加坡 HBM 後段產能建設，便已積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。
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在銅鑼廠之前，美光在台灣已收購友達（AUO）於台南的兩座廠、友達晶材（AUO Crystal）的台中廠房，及光燿科技（Glorytek）的台中廠房，作為 wafer probe（晶圓測試）、metallization（金屬化）、HBM TSV 等各項用途。美光亦規劃將部分新加坡 NAND Flash 無塵室改用於 DRAM metallization。
觀察此次銅鑼廠收購案對力積電的意義：其現有 DRAM 產能主要採用 25nm、38nm 製程，因此其 DDR4 產線暫時止步於容量較小的產品。近日力積電與美光簽署合作意向書後，預計未來一年內將獲得美光授權「1Y nm」製程，後續並有機會再取得「1Z nm」製程授權，可支持其提升 DDR4 產品容量。此舉將有利力積電保持在消費型 DRAM 市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與美光的先進產品線互相競爭。
台股周一（19日），力積電收在 62 元漲停價，今年來已大漲 45.4%。
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