在中國工信部近期公布的最新文件中，出現了一台全新的中國自製 DUV 曝光機，公開數據顯示該曝光機的分辨率 ≦ 65 奈米、套刻精度 ≦8 奈米。許多中國網友認為，這台 DUV 象徵著中國突破了美國的技術封鎖，「可以生產 8 奈米晶片」。然而，這番言論卻接連遭到中外媒體打臉，指出該 DUV 僅能製造 65 奈米等級的晶片，甚至有中國科技媒體直言，中國的技術可能落後西方超過 15 年。
中國工信部於 9 月初公布「首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄( 2024 年版)」，其中在「積體電路生產設備」的項目中，列出了新型的氟化氪曝光機與氟化氬曝光機。中國媒體《芯智訊》報導指出，該文件中列出的氟化氪曝光機是 248 奈米光源的曝光機，分辨率僅 ≦110 奈米，套刻精度也 ≦25 奈米，而氟化氬曝光機則是 193 奈米光源的 DUV 曝光機。但與世界先進的浸沒式 DUV 曝光機不同，中國的這台是較落後的「乾式曝光機」。
該報導指出，這台新的 DUV 曝光機解析度 ≦ 65 奈米、套刻精度 ≦8 奈米，雖然比之前中國上微公司公布，解析度 ≦90 奈米的 SSA600 還要進步，但仍無法達到生產 28 奈米晶片的水準，更不用說比 28 奈米更先進的 8 奈米、 7 奈米晶片。該報導強調，有很多網友對曝光機的技術存在誤會，曝光機的套刻精度與光刻製造製程節點水準是兩項完全不一樣的東西。
該報導也針對曝光機的分辨率與套刻精度做出分析並指出，如果一台曝光機的分辨率微 65 奈米，代表該曝光機單次曝光能達到的製程節點在 65 奈米「左右」，套刻精度則是正確對準晶片線路與電晶體的能力，並不代表能生產該大小的晶片。
一位在中國從事科技自媒體的網友表示，只有完全不懂晶片產業的人，才可能將「套刻精度 ≦ 8 奈米」視為可以生產 8 奈米晶片。該名網友稱，目前中國還不到足以製造 8 奈米晶片的水平，工信部公布的最新 DUV 曝光機也落後行業龍頭荷蘭艾斯摩爾「整整十八年」，呼籲網友不要「盲目樂觀」，「中國還有很多技術層面的難題需要克服」。另外，科技媒體《 WccfTech 》也發布報導指出，美國早在 2009 年就可以透過氟化氬曝光機生產晶片，中國新公布的 DUV 曝光機「至少落後美國 15 年」。
