三星宣布已經開始量產第5代V-NAND快閃記憶體，第五代V-NAND採用目前最高96層堆疊設計，並且為業界首發支援Toggle DDR 4.0 傳輸介面的V-NAND快閃記憶體，傳送速率達到1.4Gbps，相較主流64層NAND速率增加了40%，並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。
目前NAND各家廠商均採3D方式堆疊，提升單位面積的儲存容量。目前市場主流NAND堆疊層數為64層，主要應用在SSD固態硬碟上。三星宣布將生產第5代V-NAND快閃記憶體，堆疊層數達到96層，三星強調新V-NAND可以減少晶圓物理尺寸限制，並擁有更高功率及性能。首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能夠提供高達1.4Gbps的數據傳輸速度，比上代提升了40%。
同時，新V-NAND還對性能、功耗也進一步優化。工作電壓從1.8V 降至1.2V，數據寫入速度也是迄今最快500us，比上一代提升了 30%。讀取速率的回應時間也縮短到50us。減低的工作電壓有助於筆電電池壽命延長，並提高能源使用效率。
三星第5代V-NAND內部堆疊96層CTF-Cell層，為市面所見最高者。這些儲存單元透過幾百奈米寬的微管道孔洞連接，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存3位元資料。此外，第5代V-NAND快閃記憶體在原子層沉積製程技術也有改進，製造生產效率提升了30%，讓每層高度降低20%，有效降低了單位間干擾。三星也準備推出核心容量1Tb的NAND快閃記憶體，及QLC紀錄模式版本。
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