韓國政府今（4）日批准三星電子於中國投資40億美元，設立快閃記憶體（NAND Flash）工廠，並要求三星必須保護重要技術不外流。三星為全球NAND晶片製造第一大廠，擁40%市占率。
根據BBC報導，美國高德納諮詢公司發佈數據指出，今年中國NAND快閃記憶體消耗量預計將達到290億美元，佔全球市場的一半。智慧型手機和平板電腦市場的迅速發展，刺激了對NAND晶片的需求。
三星將於今年上半年建廠，計劃明年下半年投入生產。新工廠地點尚未決定，預計每月生產量將達到10萬晶片。此為三星第2座海外晶片廠。
韓國政府要求企業在海外建廠時必須提交申請，以防止技術外流。韓國知識經濟部表示，三星將成立防範技術外流的委員會。
目前全球NAND晶片市場中，三星和東芝(Toshiba)全球市占率合計將近7成，其次為海力士（Hynix）、美光（Micron）、英特爾（Intel）等。
