半導體先進製程競賽持續升級。台積電（2330）與全球曝光機龍頭 ASML今（8）日宣布，雙方發起產業合作，共同推動極紫外光（EUV）微影技術從現行 6 吋光罩升級至更大的 12 吋光罩，目標 2031 年前建立 12 吋光罩試產線，並於 2033 年前實現微影系統全面就緒，支援先進製程量產。

值得注意的是，台積電也首度明確揭露 High NA EUV 量產時程，計畫自 2030 年起，在先進製程量產中導入 ASML 的 High NA 技術。隨著製程節點持續微縮，尤其當 AI 應用帶動電晶體架構日益複雜，台積電預期，需要使用 High NA EUV 曝光的光罩層數將逐步增加。

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ASML 與台積電指出，High NA EUV 初期仍沿用現行 6 吋光罩進行生產，後續再轉移至 12 吋光罩。預期可望進一步提升晶圓廠生產效率、降低晶片製造成本，同時消除現行 High NA EUV 曝光時，需要使用兩張 6 吋光罩進行拼接的限制，讓先進晶片製造商更充分發揮 High NA EUV 優勢，提高未來先進晶片的成本效益。

ASML 總裁暨執行長 Christophe Fouquet 表示，隨著元件微縮藍圖持續推進，High NA EUV 的採用程度預期將逐步提高，初期沿用現行 6 吋光罩，之後再導入 12 吋光罩，進一步提高設備生產力，以滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。

台積電董事長暨總裁魏哲家則表示，台積電深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的可能性。透過匯聚產業價值鏈的專業能力，盼藉由持續創新降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，持續傳遞尖端技術的價值。

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這項合作於 9 月 7 日、在美國加州蒙特雷舉行的 BACUS 國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會登場前宣布。ASML 與台積電表示，目前包括 High NA EUV 潛在採用者，以及半導體生態系主要設備、材料與光罩供應商，都已表達加入倡議的興趣，顯示大型光罩轉型已獲得產業鏈廣泛支持。

EUV 已是台積電先進製程的重要技術。台積電 N7 為公司首個導入 EUV 並進入量產的製程，此後 EUV 應用持續擴大；隨製程朝 A14、A12 及更先進節點推進，台積電也持續研發下一代 EUV 微影、光罩材料及相關圖形化技術。

相較現行 EUV，High NA EUV 透過提高數值孔徑（Numerical Aperture，NA），進一步提升曝光解析度，有助製造尺寸更小、密度更高的電晶體。不過，High NA EUV 的曝光範圍較小，大型晶片可能需要透過多次曝光與拼接完成，因此導入 12 吋大型光罩，有望進一步提升 High NA EUV 生產效率並降低製造成本。

台積電今日以 2,465 元開出，盤中買盤一度推升股價突破 2,500 元大關，最高觸及 2,505 元、漲幅達 1.83%；不過尾盤漲幅收斂，終場收在 2,470 元，上漲 10 元或 0.41%，成交量約 2.57 萬張。