記憶體三強洗牌！三星重返龍頭　美光緊追海力士只差1個百分點 | 財經

據市調機構 Counterpoint Research 最新報告，三星電子（Samsung）今年第二季重返全球 DRAM 市場龍頭，美光（Micron）則持續拉近與 SK 海力士（SK hynix）的差距；另一方面，中國長鑫儲存（CXMT）也繳出逾 7 倍的營收年增率，為成長最快的 DRAM 廠商。

三星重返DRAM龍頭　海力士市占滑落、美光緊追在後

Counterpoint Research 指出，三星受惠於傳統 DRAM 報價回升，以及高頻寬記憶體（HBM）布局逐步改善，今年第二季市占率回升至 39%，重返全球 DRAM 市場龍頭，並恢復至 2024 年水準。

相較之下，儘管 SK 海力士第二季 DRAM 營收年增高達 214%，但市占率仍由 2025 年第二季的 39% 下滑至 26%；美光則以 25% 市占率緊追在後，與海力士差距縮小至僅 1 個百分點，全球三大 DRAM 廠競爭趨於白熱化。

Counterpoint Research 資深分析師 Jeongku Choi 表示，三星成功扭轉過去一年面臨的挑戰，不僅受惠於傳統 DRAM 價格上漲，也持續擴大 HBM 市占率。隨著第三季 DRAM 價格預期進一步調漲，三星獲利能力可望持續提升。

研究總監 MS Hwang 則分析，SK 海力士雖然營收續創新高，但由於三星及美光成長速度更快，市占率遭到擠壓。此外，海力士 HBM 營收占比較高，而今年 HBM 平均售價因 HBM3E 降價及 HBM4 延後推出而下滑，加上較早簽訂長期供貨協議（LTA），也影響其價格調整彈性。

AI需求續強　HBM4放量、長鑫儲存成市場黑馬

Counterpoint Research 表示，AI 持續帶動資料中心及先進運算基礎建設投資，使 DRAM 市場需求持續高於供給，不僅推升傳統 DRAM 用量，也加速 GPU 所需 HBM 的滲透率。

今年第二季，傳統 DRAM 價格較前一季上揚，但 HBM 平均價格則因 HBM3E 降價及 HBM4 延後上市，較去年同期下滑。不過，隨著輝達 Vera Rubin 與 AMD Instinct MI455X AI GPU 平台陸續出貨，HBM4 已於第三季開始放量，市場預期隨產品組合改善，HBM 價格跌幅將逐步收斂，並有望於明年回升。

除了三大廠外，中國長鑫儲存以及台灣南亞科技第二季表現同樣亮眼。其中，長鑫儲存 DRAM 營收年增 716%，成為全球成長最快的 DRAM 廠商，主要受惠中國市場需求強勁及產能持續擴張；南亞科技營收年增 690%，則受惠 DDR 與 LPDDR4／LPDDR5 產品供需改善。

Counterpoint Research 副總裁 Neil Shah 指出，自 2025 年第二季以來，美光 DRAM 營收已成長約五倍，未來有機會超越 SK 海力士，躍居全球第二大 DRAM 廠。另一方面，下半年另一大觀察重點將是長鑫儲存 IPO 後，是否加速擴充 HBM 與 LPDDR6 產能；若順利提升供應能力，全球 DRAM 市場版圖仍可能出現新的變化。