《路透社》今（21）日引述 4 名知情人士報導，儘管美國持續限制先進晶片設備出口中國，南韓兩大記憶體廠三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）仍積極升級中國工廠，計畫生產更高層數 NAND 快閃記憶體，以滿足 AI 帶動的儲存需求，同時應對中國長江存儲（YMTC）快速崛起的競爭壓力。
報導指出，兩家韓廠正推動中國生產基地升級，目標將 NAND 製程推進至 200 層以上，縮小與南韓本土工廠的技術差距。三星與 SK 海力士均證實升級作業正在進行，並與美國政府密切溝通，但未透露具體生產計畫。
自美國 2022 年實施半導體設備出口管制以來，韓廠若要在中國工廠安裝美製蝕刻設備等機台，須每年申請出口許可。美國商務部工業暨安全局（BIS）去年更表明，原則上僅允許維持既有工廠運作，不打算核准擴產或技術升級所需設備。
據知情人士透露，三星位於中國西安的工廠，目前主要生產約 200 層 NAND，產量約占三星全球 NAND 產出的 40%。
三星正透過內部代號「Monami」的計畫，將西安廠升級至 286 層的第九代 V9 NAND，目標今年 12 月達到每月 5,000 片晶圓，並於 2027 年底提高至每月 4 萬片。公司強調，相關升級符合美國出口管制規定，主要為滿足全球客戶需求，並未計畫擴大整體產能或興建新廠。
另方面，SK 海力士計畫將中國大連廠的 NAND 製程，由目前約 192 層提升至 240 層以上。該廠為 SK 海力士 2021 年收購英特爾 NAND 業務時取得，目前隸屬旗下儲存事業 Solidigm。
消息人士指出，SK 海力士已獲准在大連廠生產最高 240 層 NAND，未來可能進一步申請研發 300 層以上產品，為後續在美國生產先進 NAND 鋪路。公司也正與川普政府討論在美國興建新 NAND 工廠的可能性。
韓廠加速升級中國廠之際，長江存儲的競爭力也持續提升。根據市場研究機構 Omdia 統計，長江存儲今年第二季在中國 NAND 市場的市占率達 38.5%，高於去年全年的 28%，並超越三星成中國市場最大供應商。
相較之下，三星市占率由 36% 降至 33.5%，SK 海力士則從 20% 下滑至 17%。知情人士透露，長江存儲目前主力產品為 160 層及 232 層 NAND，另已少量生產 294 層產品，並計畫進一步挑戰 300 層以上製程。
隨著長江存儲加速追趕，三星與 SK 海力士正試圖提升中國廠的技術競爭力，但美國出口管制仍是升級計畫面臨的主要障礙。