全球記憶體市場供需吃緊，DRAM、HBM 等產品報價接連走揚，就連全球首富、特斯拉（Tesla）執行長馬斯克（Elon Musk）也忍不住公開抱怨。他近日接連在社群平台 X 發文，痛批部分記憶體商對未來的報價近乎「勒索」，唯獨點名稱讚美光（Micron）報價合理；此外，他也警告中國正快速掌握新一代記憶體技術，未來恐衝擊全球市場供需與競爭格局。
綜合韓國《首爾經濟日報》、《BusinessKorea》等外媒報導，馬斯克昨（13）日在 X 上回應一則有關摩根大通（JPMorgan）記憶體產業展望的貼文時，對廠商定價策略表達強烈不滿。他指出，美光對未來記憶體價格的態度相當合理，其他廠商報價卻近乎「勒索」（extortionate），更直言「客戶不會忘記這件事」，認為美光選擇建立長期客戶忠誠度，是明智的決定。
值得注意的是，馬斯克公開肯定美光，卻未點名其他遭批評的記憶體廠。隨著 AI 基建投資持續擴張，三星電子、SK 海力士以及美光等主要供應商，正受惠高頻寬記憶體（HBM）與傳統 DRAM 需求升溫，但供需失衡也讓下游客戶面臨更大的採購成本壓力。
根據摩根大通的產業展望，全球記憶體供應缺口在今年估達 20%，2027 年仍有 19%，即使到了 2028 年，缺口可能仍達 15%。這意味著記憶體供應緊俏局面恐延續數年，也讓主要大廠在價格談判中握有較大優勢。
除了不滿記憶體報價，馬斯克前一天（12 日）也在 X 談及中國記憶體產業的崛起。他指出，一旦中國掌握某項產品的製造技術，擴大量產的能力往往超越全球其他地區總和，過去鋰電池、太陽能產業便是明顯例子。
馬斯克特別提到，LPDDR5 與 LPDDR6 採用共同標準，而中國似乎正快速掌握相關技術。他也提醒，記憶體在約 3 年前仍屬低毛利的標準化商品，暗示一旦中國業者突破技術門檻並擴大量產，未來可能改變全球記憶體市場的供需與價格結構。
這番言論也讓中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）的技術進展受到關注。市場消息指出，長鑫正推進採用 4F² 記憶體單元架構的 DDR5 技術，並規劃於 2026 年底推出相關伺服器記憶體產品。不過，相關技術能否順利量產、達到商業化規模，仍有待觀察。
然而，馬斯克也認為，並非所有記憶體技術都能輕易複製，尤其新一代 HBM 架構，以及涉及 SRAM、3D 堆疊與散熱整合的先進技術，仍具有較高的突破門檻。