中國記憶體廠長鑫存儲（CXMT）宣稱，在新一代 DRAM 記憶體單元架構取得重大技術突破，有望搶先三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）推出採用「4F²」設計的伺服器記憶體產品，消息引發全球記憶體股連鎖賣壓。不過，這項技術宣稱尚未獲得獨立驗證，能否實現具經濟效益的大規模量產，仍有待觀察。
韓國三星電子、SK 海力士今（13）日股價分別重挫約 7.4%、10%，日本記憶體大廠鎧俠（Kioxia）也大跌約 14%。美股方面，美光（MU）、閃迪（SNDK）前一交易日分別跌約 3.9%、6%，今日截至 4 時 30 分，盤前交易持續承壓，分別下挫 2.57%、2.98%，反映市場擔憂中國記憶體廠加速追趕，可能改變全球記憶體產業競爭格局。
《彭博》報導，長鑫存儲總裁曹侃宇上週末在上海一場產業會議上表示，已在新型記憶體架構取得進展，計畫於今年底前推出採用「4F²」設計的資料中心伺服器記憶體產品。相關說法已獲長鑫存儲證實，但公司尚未公布詳細技術規格與量產良率數據。
所謂「4F²」，是指單一記憶體單元所占面積，相當於最小特徵尺寸 F 的平方乘以 4。相較目前業界常見的「6F²」架構，若能在相同製程條件下成功縮小至 4F²，理論上可將單元面積減少約三分之一，進一步提高晶片儲存密度，並降低單位容量的生產成本。
這項技術也是三星與 SK 海力士多年來積極研究的方向。長鑫存儲表示，新架構採用「垂直環繞閘極」（Vertical Surrounding Gate）設計，透過改變電晶體排列方式，改善元件微縮過程中容易出現的漏電等技術問題。若能成功導入商業化生產，意味中國記憶體廠可能在特定 DRAM 單元架構上取得領先，即使面臨美國半導體出口管制，仍有機會透過架構創新縮小與國際大廠差距。
不過，市場對這項突破仍持審慎態度。晨星股票分析師 Jing Jie Yu 指出，若長鑫率先成功導入 4F² 架構，競爭力將大幅提升；但記憶體大廠及設備商均曾指出，相關技術轉型難度相當高，因此從推出產品到達成具商業效益的量產良率，恐怕仍需一段時間。
長鑫近年積極擴充先進記憶體產能，試圖掌握 AI 帶動的市場需求。市場研究機構 Counterpoint Research 統計，今年第二季長鑫在全球 DRAM 市場的市占率已達約 10%，較去年同期的 4% 明顯提升，顯示中國記憶體廠正逐步擴大市場影響力。
然而，在輝達（NVIDIA）AI 加速器所使用的高頻寬記憶體（HBM）領域，長鑫仍落後三星與 SK 海力士等主要供應商。因此，即使 4F² 技術取得進展，也不代表長鑫已全面超越韓國記憶體廠，更不等於其 HBM 技術已取得領先。
瑞士聯合私人銀行（UBP）董事總經理 Vey-Sern Ling 認為，投資人近期情緒敏感，對今年表現強勢的 AI 相關股票，尤其記憶體族群，正尋找獲利了結的理由。隨中國記憶體廠持續擴產、技術差距可能縮小，市場也開始重估全球 DRAM 產業未來的競爭格局。
整體而言，長鑫此次技術宣稱雖引發市場高度關注，但真正的考驗仍在於，能否將新架構轉化為穩定量產能力，以及實際成本與產品效能能否挑戰國際大廠。若未來中國廠商進一步擴大產能，也可能對全球記憶體供需及價格形成壓力。