美中半導體競賽持續升溫，ASML 關鍵供應商、德國光學大廠蔡司（ZEISS）高層指出，中國要自主研發出最先進的極紫外光（EUV）微影設備，可能仍需約 15 年時間，直言其與全球頂尖技術仍有明顯差距；但也警告，持續擴大出口限制，反而可能加快中國半導體設備自主化腳步。
據《彭博》報導，蔡司半導體部門技術長 Frank Rohmund 在台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan 2026）期間受訪表示，外界推估中國還需要 15 年才能自行開發 EUV 技術，是一項「合理假設」，但由於中國實際研發進度難以掌握，很難精確量化差距。
當前熱搜：運動部「揮汗有禮」截圖要注意！「4大要件」不可少 日期標註是關鍵
蔡司是 ASML EUV 設備光學系統的獨家供應商，而 ASML 是目前全球唯一能生產 EUV 微影設備的廠商。EUV 是製造最先進晶片的關鍵設備，包括輝達（NVIDIA）AI 加速器所使用的先進晶片都高度仰賴相關技術。
Rohmund 的說法也比華爾街近期估計更加保守。瑞銀（UBS）分析師 Francois-Xavier Bouvignies 團隊本週指出，中國可能至少還需要 10 年，才能自主掌握 EUV 技術；蔡司則認為，時間可能拉長至約 15 年。
在美國出口管制下，ASML 最先進的 EUV 設備早已無法銷往中國，美方近年也進一步要求 ASML，部分高階浸潤式深紫外光（DUV）設備出口也受到限制；儘管無法取得 EUV，北京仍持續投入資金扶植本土半導體產業，力拚設備自主化。
當前熱搜：當選舉核彈？ 黃珊珊：我不會再參與選舉
不過，Rohmund 認為，若進一步將出口限制擴大至傳統 DUV 設備，未必能達到預期效果，甚至可能適得其反。他直言，出口限制可能反而加速中國創新。
中國近年在浸潤式 DUV 設備已有進展，《The Information》7 月曾報導，上海一家企業正在生產相關設備。對此，Rohmund 表示，中國投入相關技術研發已有數十年，近期進展並不令人意外，接下來關鍵是觀察設備實際能力，但他仍強調，目前與合作夥伴在尖端技術方面，「我們仍然遙遙領先。」
蔡司表示，其零組件參與全球約 80% 晶片的生產。面對 AI 帶動先進晶片需求成長，公司也持續擴充德國產能，包括擴建奧伯科亨（Oberkochen）總部，並興建新的生產基地。
