AI 晶片龍頭輝達（NVIDIA）為提升下一代高頻寬記憶體（HBM）效能，傳出要求全球三大記憶體廠三星電子（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）及美光（Micron），統一採用台積電（2330）3 奈米製程生產客製化 HBM 的底層晶片（Base Die）。其中，向來強調自主生產的三星也已同意相關要求，意味兩大晶圓代工競爭對手，未來可能在輝達新一代 AI 記憶體供應鏈中展開更深度合作。

根據南韓《首爾經濟日報》週日（18 日）引述產業消息報導，輝達今年 8 月公布客製化的高頻寬記憶體「NVHBM」，以新一代 HBM4E 架構為基礎，並要求三大記憶體供應商使用台積電 3 奈米製程製造底層晶片，至於堆疊在上方的記憶體核心晶片（Core Die），則統一採用第六代 1c DRAM 製程。

這項要求，主要是為了解決不同供應商製程與設計差異所造成的效能落差。由於 NVHBM 將輝達客製化記憶體控制器整合至底層晶片，透過統一製程規格，不僅有助提升資料傳輸效率，也能降低不同供應商產品的驗證與整合成本。

值得注意的是，三星過去採「垂直整合」模式，從記憶體核心晶片到 HBM 底層晶片，主要由集團內部自行生產。此次為符合輝達要求，三星經內部評估後決定採用台積電製程，將是雙方史上首度在 HBM 製造階段展開此類合作，也反映 AI 客戶對先進製程與供應鏈整合的影響力持續擴大。

不過，三星並未全面放棄自家晶圓代工業務。報導指出，三星仍將維持一般 HBM，以及其他客戶客製化產品的自主生產模式，同時評估利用自家 2 奈米製程製造 NVHBM 底層晶片，作為未來台積電產能不足時的替代方案。

隨 AI 運算需求快速成長，HBM 已從單純的記憶體堆疊，逐漸走向結合先進邏輯製程的客製化設計。這也意味台積電除了 AI GPU 晶片與先進封裝業務，未來在高階記憶體供應鏈中的角色可望進一步擴大。不過，目前相關合作細節主要來自韓媒引述產業消息，實際量產時程及訂單規模仍有待確認。