韓國三星電子（Samsung Electronics）在晶圓代工領域上試圖追趕台積電，不過傳出將首次在高頻寬記憶體（HBM）製造階段與台積電合作。韓國媒體披露，三星電子將採用台積電的3奈米製程，為人工智慧（AI）晶片大廠輝達（Nvidia）下一代客製化HBM晶片製造基礎晶粒（base die）。
根據「首爾經濟日報」（Seoul Economic Daily），消息人士透露，輝達已要求三星、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron Technology）在NVHBM基礎晶粒採用台積電製程，並在核心晶粒採用第6代DRAM技術、也就是1c製程；NVHBM則是以第7代技術為基礎。
報導指出，輝達提出這項要求是因為不同HBM供應商製造基礎晶粒的方式各異，導致雖然產品是同一套設計卻難以確保成品具有一致的性能。根據輝達說明，8月發表的NVHBM將輝達客製化記憶體控制器整合進基礎晶粒，旨在統一多家記憶體供應商的實作方式；統一製程標準也能減少輝達針對不同供應商分別進行產品驗證的負擔。
報導提到，三星經過內部審查後同意輝達的要求，但並未排除在NVHBM的開發、生產過程中，使用自家晶圓廠的可能性，仍計劃以自有製造模式生產標準HBM，以及為其他客戶量身打造的產品。一位不具名消息人士指稱，三星也正在評估，若需求超出台積電產能，是否可由自家晶圓代工部門生產NVHBM基礎晶粒。