中國半導體自主化再有新進展。根據《The Information》報導，中國國有企業已開始量產國產浸潤式 DUV（深紫外）曝光機／光刻機，今年預計生產約5台，2027年年產量可望提升至20台，首批設備將交付中芯國際（SMIC）、華虹半導體及記憶體大廠長鑫存儲（CXMT），目標降低對荷蘭、日本設備供應商的依賴，並提升中國晶圓製造自主能力。
另一方面，長鑫存儲昨日正式於上海科創板掛牌，募資約86億美元，成功募集大量資金後，市場預期將加速DRAM擴產，也讓投資人開始擔憂未來記憶體市場供給增加，競爭進一步升溫。
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市場情緒已率先反映相關利空。美國夜盤美光（Micron）、Sandisk股價重挫，韓國記憶體族群早盤同步大跌。雖然第三季DRAM合約價仍預估有望上漲20%以上，但NAND Flash現貨價格已因消費性需求疲弱、客戶拉貨意願下降而回落，市場開始提前反映未來供需變化。
萬寶投顧研究部臉書解析，第一線受到影響的將是成熟製程晶圓代工及一般型記憶體市場。由於國產浸潤式DUV優先交付中芯國際、華虹半導體及長鑫存儲，等同提供中國晶圓廠更多自主擴產工具，有助成熟製程及DRAM產能持續增加。
對台廠而言，成熟製程晶圓代工包括聯電、世界先進，以及記憶體廠南亞科、華邦電、旺宏等，市場情緒可能因此承受壓力。其中南亞科因產品與長鑫存儲重疊度最高，被認為是主要競爭對手；華邦電以特殊型DRAM、NOR Flash及客製化產品為主，受影響相對有限；群聯以NAND控制IC為主，直接衝擊較小。
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分析師楊惠宇表示，目前長鑫存儲全球DRAM市占率約8%至9%，排名全球第四，現階段仍以一般型DRAM為主，對HBM及高階AI記憶體短期影響有限。不過若未來持續擴產，DDR4及中低階DDR5市場價格壓力將逐漸增加。
國泰證期顧問也指出，長鑫短期仍以取代中國進口DRAM市場為主，但若2027年至2028年良率持續提升並完成客戶驗證，南亞科、華邦電將面臨更大的價格競爭；威剛、創見、十銓等模組廠則有望受惠於DRAM成本下降，但仍須留意庫存跌價風險。
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